作為國(guó)內(nèi)氮化鎵領(lǐng)域創(chuàng)新引領(lǐng)者，華燦光電借助 18 年工藝和技術(shù)沉淀，已經(jīng)在氮化鎵領(lǐng)域積累了諸多專(zhuān)利技術(shù)和制造經(jīng)驗(yàn)。本次攜帶多款GaN電力電子產(chǎn)品，驚艷亮相福田深圳國(guó)際會(huì)展中心3號(hào)館 C93展位，為在場(chǎng)觀眾呈現(xiàn)氮化鎵前沿科技及產(chǎn)業(yè)動(dòng)態(tài)。
華燦光電本次展示方向主要聚焦于GaN電子電子，產(chǎn)品覆蓋襯底、外延、裸晶、器件以及電路解決方案。在自有外延方面，本次展出的GaN外延片以對(duì)應(yīng)的器件良率已達(dá)到理想投產(chǎn)水平，自產(chǎn)GaN外延片可實(shí)現(xiàn)較好的器件結(jié)果和性能參數(shù)。根據(jù)測(cè)試驗(yàn)證，華燦光電GaN外延的閾值電壓、耐壓、柵壓容限等靜態(tài)參數(shù)均可對(duì)標(biāo)國(guó)內(nèi)外頭部產(chǎn)品。
在氮化鎵器件方面，華燦光電已實(shí)現(xiàn)在6/8英寸硅襯底上無(wú)裂紋HEMT外延的優(yōu)化，在表面粗糙度和厚度一致性已達(dá)到理想的水準(zhǔn)。本次也展出了已經(jīng)完成了小批量出樣和測(cè)試的650V GaN Device 和demo board。
未來(lái)，面對(duì)蓄勢(shì)待發(fā)、充滿(mǎn)潛力的中大功率應(yīng)用市場(chǎng)，華燦光電將加快技術(shù)迭代，加強(qiáng)全產(chǎn)業(yè)鏈整合及布局，多維度發(fā)力以打開(kāi)更廣闊的GaN中大功率電力電子市場(chǎng)，并同上下游生態(tài)伙伴攜手共進(jìn)，擴(kuò)大能效半徑，延展生態(tài)鏈，賦能廣大終端應(yīng)用市場(chǎng)。
